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张立宁

张立宁   办公室:1005      办公室电话:26753116
    副教授、博士。2013年于香港科技大学电子及计算机工程学系获得博士学位。2014年开始香港科技大学研究助理教授。2018年加入深圳大学电子科学与技术学院。香港科技大学,加拿大麦吉尔大学访问学者。长期担任IEEE Trans. Electron Devices等国际期刊的审稿人,并担任多个国际会议如EDTM, EDSSC,IWCM等的技术委员会成员、技术委员会分会主席等,以及剑桥学者出版社顾问委员会成员。近年来在半导体电子器件领域发表文章20余篇,包括微电子领域的顶级国际会议IEDM文章。合作编著英文专著一本《Tunneling Field-Effect-Transistor Technology》,由Springer于2016年出版。曾获得香港政府首批香港博士生奖学金,纳米科技蒙民伟最佳论文奖等。
 
一、 主要研究方向
1. 半导体器件建模、可靠性与实现;
2. 薄膜半导体器件及应用;
3. 基于第一原理模拟的半导体器件物理;
4. 电子器件制备的印刷工艺;
 
二、 近几年主持、共同主持的科研项目
1 国家自然科学基金青年基金项目(批准号: 61704144,2018.01-2020.12,21.0万元)“石墨烯增强的隧穿型薄膜晶体管机理研究”
2 香港创新署(2016.01-2017.12) “Highly-Reliable CMOS Integrated Circuit Oriented Manufacture Process and Fast Design Validation Platforms”
 
三、 代表性论文
1 L. Wang, Y. Sun, X. Zhang, Lining Zhang*, S. Zhang, M. Chan, “Tunneling contact IGZO TFTs with reduced saturation voltages,” Applied Physics Letter, vol. 110, pp. 152105, 2017 
2 Lining Zhang*, Mansun Chan, “Artificial neural network design for compact modeling of generic transistors,” Journal of Computational Electronics, vol. 16, no. 3, pp. 825-832, Sept. 2017 
3 H. M. D. Kabir, Z. Ahmed, L. Zhang*, Mansun Chan, “Coil-shaped electrode to reduce the current variation of drop-casted OTFTs, ” IEEE Electron Device Letter, vol. 38, no. 5, pp. 645-648, May 2017
4 Chenyue Ma, Lining Zhang*, Xinnan Lin, Mansun Chan, “Universal framework for temperature dependence prediction of the negative bias temperature instability based on microscopic pictures,” Japan Jour. Appl. Phys., vol. 55, pp. 044201, Mar. 2016 
5 Qing Shi, Lining Zhang*, Yu Zhu, Lei Liu, Mansun Chan, Hong Guo, “Atomic disorder scattering in emerging transistors by parameter-free first principle modeling,’ 2014 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM), Dec. 15-17, San Francisco, USA
 
四、 代表性专著
1 Lining Zhang and Mansun Chan, Book Editors, Tunneling Field-Effect Transistor Technology, Springer, 2016 
2 Lining Zhang, Jun Huang, Mansun Chan, “Steep Slope Devices and TFETs,” Chapter 1 of Tunneling Field Effect Transistor Technology, Springer, 2016, pp. 1-31. 
3 Lining Zhang, Mansun Chan, “Compact Models of TFETs,” Chapter 3 of Tunneling Field Effect Transistor Technology, Springer, 2016, pp. 61-87. 
4 Jun Huang, Lining Zhang, Pengyu Long, Michael Povolotskyi, Gerhard Klimeck, “Quantum Transport Simulation of III-V TFETs with Reduced-Order k.p Method,” Chapter 6 of Tunneling Field Effect Transistor Technology, Springer, 2016, pp. 151-180

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