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杨靖

    杨靖    办公室:812      办公电话:86935655

      讲师、博士

      毕业于北海道大学研究生院,获得电子信息工程学院微电子专业工学博士学位。学生期间师从于国际著名低温等离子体及放电科学专家田頭博昭教授,以及原子物理和低温等离子体应用专家Peter L. G. Ventzek教授。毕业后在北海道大学工学部从事外国人研究员工作两年,继续微电子技术的相关研究。专业方向和研究内容:主要从事超大规模集成电路制造工艺中,用于刻蚀工艺的低温等离子体本身的特性以及低温等离子体特性与Si衬底刻蚀图形之间关系的研究。研究成果主要表现在:(1)对于Ar等离子体得出了过度时间和放电空间电压之间关系的依存特性,(2)第一次发现和提出了SiH4等离子体密度的时间振动特性与扩散系数和漂移系数之间的制约关系。(3)Cl(或F)等离子体中加入少量O元素后,衬底Si或SiO2的刻蚀图形与等离子体特性关系的刻蚀技术研究。研究成果在日本电气学会、日本应用物理学会以及美国  Journal of Applied Physics和中国物理学报等科学杂志上发表。

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