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贺威

    贺威    办公室:1009      办公电话:86934709

      副教授、博士

     2008年7月毕业于中科院上海微系统与信息技术研究所,专业为微电子学与固体电子学,主要研究方向为航空航天高可靠性微电子器件和集成电路设计,任教《数字集成电路设计》、《射频集成电路设计》等微电子专业课程。在国内外期刊和会议上发表相关论文20余篇,合作论文30余篇,目前作为项目负责人在研深圳市科技项目“纳米 CMOS 器件单粒子瞬态辐射效应机理研究”;主持完成国家自然科学青年科学基金“超薄SOI材料中Si纳米团簇的形成、表征和抗辐射机理研究”,深圳市科技项目“纳米尺度全耗尽SOI器件辐射效应研究”,广东高校优秀青年创新人才培育项目“纳米级双栅SOI CMOS器件的量子运输效应研究”等。

一、主要研究方向

1.抗辐射集成电路设计;
2.航空航天高可靠性器件;
3.纳米 CMOS 器件辐射效应;
4.FPGA嵌入式设计;
5.新型半导体器件结构

二、近几年主持的科研项目
1、深圳市科技项目“纳米 CMOS 器件单粒子瞬态辐射效应机理研究”(JCYJ20140418095735595)。
2、广东高校优秀青年创新人才培养计划项目“纳米级双栅SOI CMOS器件的量子运输效应研究(LYM09123)”。
3、深圳市基础研究计划项目“纳米尺度全耗尽SOI器件辐射效应研究(JC201005280565A)”。
4、国家自然科学基金青年科学基金项目“新型准一维SnO2/Sn同轴纳米电缆的制备、物性及氢敏性能应用研究(50902097)”。

三、代表性论文
1、HE Wei,ZHANG Zheng-Xuan,ZHANG En-Xia,QIAN Cong,TIAN Hao,WANG Xi,Improvement of the radiation hardness of SIMOX buried layers using silicon implantation,HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS,Vol.31, No.4,Apr.2007。
2、He Wei, Zhang Zheng-xuan, Zhang En-xia, Yu Wen-jie, Tian Hao, Wang Xi,Practical considerations in the design of SRAM cells on SOI, Microelectronic Journal,Volume 39 ,Issue 12  (December 2008) Pages 1829-1833.
3、贺威,张正选,非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析,第一, 微电子学,2010.6,Vol.40,No.3.
4、He Wei, Zhang ZhengxuanModeling of Total Dose Induced Back Channel Leakage Current of SOI NMOS,第一, Proceedings of The Third International Conference on Modelling and Simulation,2010.6.
5、贺威,张正选,环栅结构CMOS/SOI器件SPICE模型研究,第一, 半导体技术,2010.6,Vol.35,No.6.
6、贺威,张正选,总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型,第一,功能材料与器件学报,2010.8,Vol.16, No.4.
7、HE Wei, ZHANG Zheng-xuan, Analyses of TID induced back channel threshold voltage shift of NMOS/SOI, Advanced Materials Research Vols.403-408, pp. 2243-2246. 2012.
8、刘诗尧,贺威*,曹建明,黄思文,三栅FET的总剂量辐射效应研究,固体电子学研究与进展,Vol.33, No.2, pp.119-123, 2013。
9、Liu Shiyao, He Wei*, Cao Jianmin, Huang Siwen, The total ionizing dose effects of non-planar triple-gate transistors, Journal of Semiconductors, Vol.34,No.9,pp. 094004-1-4, 2013.
10、He Wei, Liu Shiyao, Cao Jianmin, Analysis of Quantum Effects in Nano-scaled Double-Gate SOI CMOS, IEEE 2nd International Conference on Electric Information and Control Engineering (ICEICE), pp.368-370, Lu-shan, china, 2012.4.6-8
11、Sheng. Luo, Wei. He*, Zhun. Zhang,Investigation of double peak voltage in Pulse Quenching Effect on the Single-Event Transient,The 7th IEEE International Nanoelectronics Confence, Chengdu, China, 2016.5.9-5.11, 2016.
12、zhun zhang,wei he*,Sheng. Luo Research on the Influence of Charge Sharing for SEE Locations based on 65nm CMOS Technology,2015 International Conference On Communication Problem-Solving,Guilin, Guangxi, China,2015.10.16-10.18, 
13、Shi-Yao Liu, Wei He*, Jian-Min Cao, Siwen Huang, Xiaojin Zhao, Total Ionizing Dose Effects on Triple-Gate Fets, IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), pp.28-30, Xi'an, china, 2012.11.29-12.01,

四、专利
1、贺威,高致慧 等,基于现场可编程逻辑阵列的分布式拉曼放大器控制系统,深圳大学,申请日, 2010.3.5, 申请号:201020124571.3 (已授权)

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